삼성전자는 26일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘 2024'에서 HBM과 CXL 등 차세대 메모리를 선보였다.
이날 최진혁 삼성전자 미주 메모리연구소장 부사장과 황상준 삼성전자 D램 개발실장 부사장이 기조연설을 진행했다.
이들은 HBM과 CXL 솔루션이 업계 혁신을 주도하고 있으며 메모리 용량은 CXL 기술이, 대역폭은 HBM이 미래 AI 시대를 주도할 것이라는 의견을 내놨다.
최 부사장은 "CXL은 메모리의 효율적인 관리가 가능하고 시스템의 안전성을 높일 수 있어 삼성 만의 다양한 CXL 기반 솔루션으로 메모리 용량, 대역폭을 대폭 향상할 수 있다"고 강조했다.
그는 "AI 혁신은 메모리 혁신 없이 지속될 수 없다"며 "파트너사와 협력하고 고객사에게 서비스를 제공해 AI 시대의 잠재력을 발휘하도록 최선을 다 할 것"이라고 말했다.
CXL은 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU), 메모리 반도체를 연결해 데이터 처리 속도와 용량을 높이는 차세대 기술이다.
삼성전자는 올 들어 기술 개발 경쟁이 더 치열해지고 있는 HBM 시장을 주도하겠다는 의지도 내비쳤다.
황 부사장은 "양산 중인 3세대(HBM2E)와 4세대(HBM3)에 이어 12단 5세대 HBM과 32기가비트(Gb) 기반 128기가바이트(GB) DDR5 제품을 상반기에 양산해 AI 시대 고성능, 고용량 메모리 리더십을 이을 것"이라고 전했다.
이후 참석자들에게 12단 HBM3E 칩을 시연하는 시간을 가졌다.
삼성전자는 이후 파트너 프레젠테이션을 통해서도 CXL 기술과 CXL 연구 현황 등에 대해 실리콘밸리 기업들과 의견을 교류했다.
이와 함께 삼성전자는 별도의 부스를 마련해 행사 기간 동안 'CMM-H', 'CMM-D' 등 차세대 CXL을 전시해 기업 관계자들을 대상으로 소개했다.
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